收藏本站
NXP Semiconductors
PESD36VS2UT
Low capacitance unidirectional double ESD protection diode
6. Characteristics
Table 8. Characteristics
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
V RWM
reverse standoff voltage
-
-
36
V
I RM
V BR
reverse leakage current
breakdown voltage
V RWM = 30 V
I R = 5 mA
-
40
< 0.02
44
1
-
μ A
V
C d
diode capacitance
f = 1 MHz;
[1]
-
17
35
pF
V R = 0 V
V CL
r dif
clamping voltage
differential resistance
I PP = 1 A
I R = 0.5 mA
[1][2]
-
-
55
-
60
300
V
?
[1]
[2]
Measured from pin 1 or 2 to pin 3.
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
20
C d
(pF)
15
10
5
0
006aab615
0
10
20
30
40
V R (V)
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
PESD36VS2UT_1
Fig 3.
Diode capacitance as a function of reverse voltage; typical values
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 16 July 2009
4 of 12
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
PESD3V3L1UL,315 DIODE ESD UNI-DIR 3.3V SOD882
PESD3V3L4UW,115 DIODE QUAD ESD PROTECTION SOT665
PESD3V3L5UK,132 DIODE 5FOLD ESD PROTECT SOT891
PESD3V3S1UB,115 DIODE ESD PROTECTION SOD523
PESD3V3U1UA,115 DIODE ESD PROT UNI 3.3V SOD323-2
PESD3V3X1BL,315 DIODE ESD PROT ULOW BIDIR SOD882
PESD5V0F1BL,315 DIODE FEMTOFARAD BI ESD SOD882
PESD5V0L1BSF,315 DIODE BIDIR ESD PROT SOD962
相关代理商/技术参数
PESD36VS2UT215 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
PESD3USB3SZ 功能描述:TVS DIODE 5.5VWM 15WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:6 电压 - 反向关态（典型值）:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:- 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:7A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无 应用:HDMI 不同频率时的电容:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:15-UFBGA，WLCSP 供应商器件封装:15-WLCSP（2.37x1.17） 标准包装:1
PESD3V3C1BSFYL 功能描述:TVS DIODE 3.3VWM 5VC SOD962 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrEOS 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:齐纳 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:5.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:9A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:0.2pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0201（0603 公制） 供应商器件封装:DSN0603-2 标准包装:1
PESD3V3L1BA 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS SOD-323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, SOD-323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Bi-Direct ESD protect diode,PESD3V3L1BA
PESD3V3L1BA,115 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 3.3V BIDIRECTION ESD RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
PESD3V3L1BA,115-CUT TAPE 制造商:NXP 功能描述:PESDxL1BA Series 26 V 101 pF Low Capacitance ESD Protection Diode - SOD-323
PESD3V3L1BA115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:ESD DIODE 26V Bidirectional SOD-323
PESD3V3L1UA 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ESD LOW CAPACITANCE SOD323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ESD, LOW CAPACITANCE, SOD323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ESD, LOW CAPACITANCE, SOD323; Diode Type:ESD Protection; Clamping Voltage Vc Max:11V; Diode Case Style:SOD-323; No. of Pins:2 ;RoHS Compliant: Yes